ON-state characteristics of proton irradiated 4H–SiC...

Solid-State Electronics 2014 / 04 Vol. 94

ON-state characteristics of proton irradiated 4H–SiC Schottky diode: The calibration of model parameters for device simulation

Vobecký, J., Hazdra, P., Záhlava, V., Mihaila, A., Berthou, M.
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
94
Langue:
english
Journal:
Solid-State Electronics
DOI:
10.1016/j.sse.2014.02.004
Date:
April, 2014
Fichier:
PDF, 1.45 MB
english, 2014
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué