Behaviors of InGaZnO thin film transistor under illuminated...

Applied Physics Letters 2010 Vol. 97; Iss. 11

Behaviors of InGaZnO thin film transistor under illuminated positive gate-bias stress

Chen, Te-Chih, Chang, Ting-Chang, Tsai, Chih-Tsung, Hsieh, Tien-Yu, Chen, Shih-Ching, Lin, Chia-Sheng, Hung, Ming-Chin, Tu, Chun-Hao, Chang, Jiun-Jye, Chen, Po-Lun
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Volume:
97
Année:
2010
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.3481676
Fichier:
PDF, 1.32 MB
english, 2010
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