Raman characterization of boron-doped {111} homoepitaxial...

Diamond and Related Materials 2006 / 4 Vol. 15; Iss. 4-8

Raman characterization of boron-doped {111} homoepitaxial diamond layers

Mermoux, M., Jomard, F., Tavarès, C., Omnès, F., Bustarret, E.
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Volume:
15
Langue:
english
Journal:
Diamond and Related Materials
DOI:
10.1016/j.diamond.2005.11.035
Date:
April, 2006
Fichier:
PDF, 784 KB
english, 2006
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