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Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures 2013 Vol. 31; Iss. 3

Dependence of structural and electrical properties of AlGaN/GaN HEMT on Si(111) on buffer growth conditions by MBE

Mukhopadhyay, Partha, Chowdhury, Subhra, Wowchak, Andrew, Dabiran, Amir, Chow, Peter, Biswas, Dhrubes
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Volume:
31
Année:
2013
Langue:
english
Journal:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
DOI:
10.1116/1.4803836
Fichier:
PDF, 1.41 MB
english, 2013
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