Performance Improvement in RF LDMOS Transistors Using Wider...

IEEE Electron Device Letters 2013 / 09 Vol. 34; Iss. 9

Performance Improvement in RF LDMOS Transistors Using Wider Drain Contact

Chen, Kun-Ming, Chen, Bo-Yuan, Chiu, Chia-Sung, Huang, Guo-Wei, Chen, Chun-Hao, Lin, Horng-Chih, Huang, Tiao-Yuan, Chen, Ming-Yi, Yang, Yu-Chi, Jaw, Brenda, Wang, Kai-Li
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Volume:
34
Langue:
english
Journal:
IEEE Electron Device Letters
DOI:
10.1109/LED.2013.2272937
Date:
September, 2013
Fichier:
PDF, 480 KB
english, 2013
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