Growth mechanism and defects in SiC prepared by sublimation...

Journal of Crystal Growth 1995 Vol. 147; Iss. 3-4

Growth mechanism and defects in SiC prepared by sublimation method

Shigehiro Nishino, Tomohiko Higashino, Tomoyuki Tanaka, Junji Saraie
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Volume:
147
Année:
1995
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/0022-0248(94)00658-x
Fichier:
PDF, 398 KB
english, 1995
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