[IEEE IC's (ISPSD) - San Diego, CA, USA...

[IEEE IC's (ISPSD) - San Diego, CA, USA (2011.05.23-2011.05.26)] 2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs - Full understanding of hot-carrier-induced degradation in STI-based LDMOS transistors in the impact-ionization operating regime

Poli, S., Reggiani, S., Baccarani, G., Gnani, E., Gnudi, A., Denison, M., Pendharkar, S., Wise, R.

Avez-vous aimé ce livre?

Quelle est la qualité du fichier téléchargé?

Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité

Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?

Année:

2011

Langue:

english

DOI:

10.1109/ISPSD.2011.5890813

Fichier:

PDF, 920 KB

english, 2011

La conversion en est effectuée

La conversion en a échoué