Growth and characterization of GaAs films on porous Si

Journal of Crystal Growth 1989 Vol. 95; Iss. 1-4

Growth and characterization of GaAs films on porous Si

Shigehiko Hasegawa, Kenzo Maehashi, Hisao Nakashima, Toshimichi Ito, Akio Hiraki
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Volume:
95
Année:
1989
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/0022-0248(89)90362-x
Fichier:
PDF, 356 KB
english, 1989
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