Electronic memory devices based on the chalcone with...

Materials Chemistry and Physics 2013 / 10 Vol. 142; Iss. 1

Electronic memory devices based on the chalcone with negative electrostatic potential regions

Yan, Bao-Long, Sun, Ru, Ge, Jian-Feng, Wang, Dong, Li, Hua, Lu, Jian-Mei
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Volume:
142
Langue:
english
Journal:
Materials Chemistry and Physics
DOI:
10.1016/j.matchemphys.2013.06.056
Date:
October, 2013
Fichier:
PDF, 1.57 MB
english, 2013
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