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[IEEE 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2012.12.10-2012.12.13)] 2012 International Electron Devices Meeting - Polarity control in double-gate, gate-all-around vertically stacked silicon nanowire FETs

De Marchi, M., Sacchetto, D., Frache, S., Zhang, J., Gaillardon, P.-E., Leblebici, Y., De Micheli, G.
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Année:
2012
Langue:
english
DOI:
10.1109/IEDM.2012.6479004
Fichier:
PDF, 1.26 MB
english, 2012
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