High Quality p+–n+-GaAs Tunnel Junction Diode Grown by...

physica status solidi (a) 2001 Vol. 183; Iss. 2

High Quality p+–n+-GaAs Tunnel Junction Diode Grown by Atmospheric Pressure Metalorganic Vapour Phase Epitaxy

L. Beji, B. el Jani, P. Gibart
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Volume:
183
Année:
2001
Langue:
english
Pages:
7
DOI:
10.1002/1521-396x(200102)183:23.0.co;2-r
Fichier:
PDF, 115 KB
english, 2001
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