Comprehensive study on the TID effects of 0.13μm partially...

Microelectronics Journal 2013 / 02 Vol. 44; Iss. 2

Comprehensive study on the TID effects of 0.13μm partially depleted SOI NMOSFETs

Ning, Bingxu, Bi, Dawei, Huang, Huixiang, Zhang, Zhengxuan, Chen, Ming, Zou, Shichang
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Volume:
44
Langue:
english
Journal:
Microelectronics Journal
DOI:
10.1016/j.mejo.2012.09.004
Date:
February, 2013
Fichier:
PDF, 1.37 MB
english, 2013
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