300-GHz InAlN/GaN HEMTs With InGaN Back Barrier

IEEE Electron Device Letters 2011 / 11 Vol. 32; Iss. 11

300-GHz InAlN/GaN HEMTs With InGaN Back Barrier

Lee, Dong Seup, Gao, Xiang, Guo, Shiping, Kopp, David, Fay, Patrick, Palacios, Tomás
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Volume:
32
Langue:
english
Journal:
IEEE Electron Device Letters
DOI:
10.1109/LED.2011.2164613
Date:
November, 2011
Fichier:
PDF, 477 KB
english, 2011
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