AlGaN/GaN high electron mobility transistors based on...

Microelectronic Engineering 2013 / 4 Vol. 104

AlGaN/GaN high electron mobility transistors based on InGaN/GaN multi-quantum-well structures with photo-chemical vapor deposition of SiO2 dielectrics

Lee, Kai-Hsuan, Chang, Ping-Chuan, Chang, Shoou-Jinn
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Volume:
104
Langue:
english
Journal:
Microelectronic Engineering
DOI:
10.1016/j.mee.2012.11.020
Date:
April, 2013
Fichier:
PDF, 608 KB
english, 2013
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