Power Performance of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility...

IEEE Electron Device Letters 2013 / 04 Vol. 34; Iss. 4

Power Performance of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on (110) Silicon Substrate at 40 GHz

Soltani, A., Gerbedoen, J.-C., Cordier, Y., Ducatteau, D., Rousseau, M., Chmielowska, M., Ramdani, M., De Jaeger, J.-C.
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Volume:
34
Langue:
english
Journal:
IEEE Electron Device Letters
DOI:
10.1109/LED.2013.2244841
Date:
April, 2013
Fichier:
PDF, 384 KB
english, 2013
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