444.9 nm semipolar (1122) laser diode grown on an...

Applied Physics Letters 2012 Vol. 100; Iss. 2

444.9 nm semipolar (1122) laser diode grown on an intentionally stress relaxed InGaN waveguiding layer

Shan Hsu, Po, Hardy, Matthew T., Wu, Feng, Koslow, Ingrid, Young, Erin C., Romanov, Alexey E., Fujito, Kenji, Feezell, Daniel F., DenBaars, Steven P., Speck, James S., Nakamura, Shuji
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Volume:
100
Année:
2012
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.3675850
Fichier:
PDF, 1.45 MB
english, 2012
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