Design of Curie point written magnetoresistance random...

Journal of Applied Physics 2003 Vol. 93; Iss. 10

Design of Curie point written magnetoresistance random access memory cells

Daughton, J. M., Pohm, A. V.
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Volume:
93
Année:
2003
Langue:
english
Journal:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.1557373
Fichier:
PDF, 283 KB
english, 2003
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