30-nm Inverted $\hbox{In}_{0.53}\hbox{Ga}_{0.47} \hbox{As}$...

IEEE Electron Device Letters 2012 / 10 Vol. 33; Iss. 10

30-nm Inverted $\hbox{In}_{0.53}\hbox{Ga}_{0.47} \hbox{As}$ MOSHEMTs on Si Substrate Grown by MOCVD With Regrown Source/Drain

Zhou, Xiuju, Li, Qiang, Tang, Chak Wah, Lau, Kei May
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Volume:
33
Langue:
english
Journal:
IEEE Electron Device Letters
DOI:
10.1109/LED.2012.2210383
Date:
October, 2012
Fichier:
PDF, 471 KB
english, 2012
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