Gate-Oxide Breakage Assisted by HCI in Advanced STI DeMOS...

IEEE Electron Device Letters 2012 / 09 Vol. 33; Iss. 9

Gate-Oxide Breakage Assisted by HCI in Advanced STI DeMOS Transistors

Cortes, I., Roig, J., Moens, P., Mouhoubi, S., Gassot, P., Rebollo, J., Bauwens, F., Flores, D.
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Volume:
33
Langue:
english
Journal:
IEEE Electron Device Letters
DOI:
10.1109/LED.2012.2202632
Date:
September, 2012
Fichier:
PDF, 457 KB
english, 2012
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