Ambipolar Behavior in Epitaxial Graphene-Based Field-Effect...

Japanese Journal of Applied Physics 2010 / 6 Vol. 49; Iss. 6

Ambipolar Behavior in Epitaxial Graphene-Based Field-Effect Transistors on Si Substrate

Olac-vaw, Roman, Kang, Hyun-Chul, Karasawa, Hiromi, Miyamoto, Yu, Handa, Hiroyuki, Fukidome, Hirokazu, Suemitsu, Tetsuya, Suemitsu, Maki, Otsuji, Taiichi
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Volume:
49
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/JJAP.49.06GG01
Date:
June, 2010
Fichier:
PDF, 352 KB
english, 2010
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