Breakdown Characteristics of 15-kV-Class 4H-SiC PiN Diodes...

IEEE Transactions on Electron Devices 2012 / 10 Vol. 59; Iss. 10

Breakdown Characteristics of 15-kV-Class 4H-SiC PiN Diodes With Various Junction Termination Structures

Niwa, Hiroki, Feng, Gan, Suda, Jun, Kimoto, Tsunenobu
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Volume:
59
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions on Electron Devices
DOI:
10.1109/TED.2012.2210044
Date:
October, 2012
Fichier:
PDF, 504 KB
english, 2012
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