High-power SiC MESFET using a dual p-buffer layer for an...

Chinese Physics B 2013 / 01 Vol. 22; Iss. 1

High-power SiC MESFET using a dual p-buffer layer for an S-band power amplifier

Deng, Xiao-Chuan, Sun, He, Rao, Cheng-Yuan, Zhang, Bo
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Volume:
22
Langue:
english
Journal:
Chinese Physics B
DOI:
10.1088/1674-1056/22/1/017302
Date:
January, 2013
Fichier:
PDF, 394 KB
english, 2013
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