Charge-transferred presensing, negatively precharged...

Charge-transferred presensing, negatively precharged word-line, and temperature-insensitive power-up schemes for low-voltage DRAMs

Jae-Yoon Sim, Kee-Won Kwon, Ki-Chul Chun
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Volume:
39
Année:
2004
Langue:
english
DOI:
10.1109/jssc.2004.825224
Fichier:
PDF, 507 KB
english, 2004
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