512-Mb PROM with a three-dimensional array of...

IEEE Journal of Solid-State Circuits 2003 Vol. 38; Iss. 11

512-Mb PROM with a three-dimensional array of diode/antifuse memory cells

Johnson, M., Al-Shamma, A., Bosch, D., Crowley, M., Farmwald, M., Fasoli, L., Ilkbahar, A., Kleveland, B., Lee, T., Tz-yi Liu, Quang Nguyen, Scheuerlein, R., So, K., Thorp, T.
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Volume:
38
Année:
2003
Langue:
english
DOI:
10.1109/jssc.2003.818147
Fichier:
PDF, 904 KB
english, 2003
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