A 2.5-V, 333-Mb/s/pin, 1-Gbit, double-data-rate synchronous...

IEEE Journal of Solid-State Circuits 1999 Vol. 34; Iss. 11

A 2.5-V, 333-Mb/s/pin, 1-Gbit, double-data-rate synchronous DRAM

Hongil Yoon, Gi-Won Cha, Changsik Yoo, Nam-Jong Kim, Keum-Yong Kim, Chang Ho Lee, Kyu-Nam Lim, Kyuchan Lee, Jun-Young Jeon, Tae Sung Jung, Hongsik Jeong, Tae-Young Chung, Kinam Kim, Soo In Cho
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Volume:
34
Année:
1999
Langue:
english
DOI:
10.1109/4.799867
Fichier:
PDF, 681 KB
english, 1999
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