Defects annealing in 4H–SiC epitaxial layer probed by low...

Materials Science in Semiconductor Processing 2012 / 12 Vol. 15; Iss. 6

Defects annealing in 4H–SiC epitaxial layer probed by low temperature photoluminescence

Litrico, G., Zimbone, M., Musumeci, P., Calcagno, L.
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Volume:
15
Langue:
english
Journal:
Materials Science in Semiconductor Processing
DOI:
10.1016/j.mssp.2012.07.002
Date:
December, 2012
Fichier:
PDF, 265 KB
english, 2012
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