An accurate MOSFET aging model for 28 nm...

Microelectronics Reliability 2012 Vol. 52; Iss. 8

An accurate MOSFET aging model for 28 nm integrated circuit simulation

Bogdan Tudor, Joddy Wang, Zhaoping Chen, Robin Tan, Weidong Liu, Frank Lee
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Volume:
52
Année:
2012
Langue:
english
DOI:
10.1016/j.microrel.2011.12.008
Fichier:
PDF, 826 KB
english, 2012
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