Elimination of charge-enhancement effects in GaAs FETs with...

IEEE Transactions on Nuclear Science 1995 / Dec. Vol. 42; Iss. 6

Elimination of charge-enhancement effects in GaAs FETs with a low-temperature grown GaAs buffer layer

McMorrow, D., Weatherford, T.R., Curtice, W.R., Knudson, A.R., Buchner, S., Melinger, J.S., Lan Hu Tran,, Campbell, A.B.
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Volume:
42
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions on Nuclear Science
DOI:
10.1109/23.488787
Date:
January, 1995
Fichier:
PDF, 760 KB
english, 1995
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