A Review on the ESD Robustness of Drain-Extended MOS...

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 2012 / 12 Vol. 12; Iss. 4

A Review on the ESD Robustness of Drain-Extended MOS Devices

Shrivastava, M., Gossner, H.
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Volume:
12
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
DOI:
10.1109/tdmr.2012.2220358
Date:
December, 2012
Fichier:
PDF, 2.40 MB
english, 2012
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