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Dual-purpose BGaN layers on performance of nitride-based...

Applied Physics Letters 2012 Vol. 100; Iss. 24

Dual-purpose BGaN layers on performance of nitride-based high electron mobility transistors

Ravindran, Vinod, Boucherit, Mohamed, Soltani, Ali, Gautier, Simon, Moudakir, Tarik, Dickerson, Jeramy, Voss, Paul L., di Forte-Poisson, Marie-Antoinette, De Jaeger, Jean-Claude, Ougazzaden, Abdallah
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Volume:
100
Année:
2012
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.4729154
Fichier:
PDF, 525 KB
english, 2012
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