Analytical Modeling of Surface-Potential and Intrinsic...

IEEE Transactions on Electron Devices 2012 / 10 Vol. 59; Iss. 10

Analytical Modeling of Surface-Potential and Intrinsic Charges in AlGaN/GaN HEMT Devices

Khandelwal, Sourabh, Chauhan, Yogesh Singh, Fjeldly, Tor A.
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Volume:
59
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions on Electron Devices
DOI:
10.1109/ted.2012.2209654
Date:
October, 2012
Fichier:
PDF, 467 KB
english, 2012
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