Electrical properties of boron, phosphorus and gallium...

Electrical properties of boron, phosphorus and gallium co-doped silicon

Erwann Fourmond, Maxime Forster, Roland Einhaus, Hubert Lauvray, Jed Kraiem, Mustapha Lemiti
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Volume:
8
Année:
2011
Langue:
english
Pages:
355
DOI:
10.1016/j.egypro.2011.06.148
Fichier:
PDF, 756 KB
english, 2011
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