Electronic structure and optical gain of InAsSbN/InAs...

Computational Materials Science 2010 Vol. 49; Iss. 1-supp-S

Electronic structure and optical gain of InAsSbN/InAs quantum dots

J. Chen, W.J. Fan, Q. Xu, X.W. Zhang
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Volume:
49
Année:
2010
Langue:
english
Pages:
1
DOI:
10.1016/j.commatsci.2010.01.038
Fichier:
PDF, 662 KB
english, 2010
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