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[IEEE 2010 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2010.12.6-2010.12.8)] 2010 International Electron Devices Meeting - Metal oxide RRAM switching mechanism based on conductive filament microscopic properties

Bersuker, G., Gilmer, D. C., Veksler, D., Yum, J., Park, H., Lian, S., Vandelli, L., Padovani, A., Larcher, L., McKenna, K., Shluger, A., Iglesias, V., Porti, M., Nafria, M., Taylor, W., Kirsch, P. D.
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Année:
2010
Langue:
english
Pages:
1
DOI:
10.1109/iedm.2010.5703394
Fichier:
PDF, 859 KB
english, 2010
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