Improvement of Switching Field in Magnetic Tunneling...

Improvement of Switching Field in Magnetic Tunneling Junction Using Ru/Ta Capping Layer

Cheng-Tyng Yen, Wei-Chuan Chen, Yung-Hung Wang, Shan-Yi Yang, Kuei-Hung Shen, Ming-Jer Kao, Ming-Jinn Tsai
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Volume:
42
Année:
2006
Langue:
english
Pages:
3
DOI:
10.1109/tmag.2006.878897
Fichier:
PDF, 893 KB
english, 2006
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