AlGaN/GaN Metal–Oxide–Semiconductor High-Electron Mobility...

IEEE Transactions on Electron Devices 2012 Vol. 59; Iss. 1

AlGaN/GaN Metal–Oxide–Semiconductor High-Electron Mobility Transistor With Liquid-Phase-Deposited Barium-Doped as a Gate Dielectric

Chih-Chun Hu, Mon-Sen Lin, Tsu-Yi Wu, Adriyanto, F., Po-Wen Sze, Chang-Luen Wu, Yeong-Her Wang
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Volume:
59
Année:
2012
Langue:
english
Pages:
7
DOI:
10.1109/ted.2011.2171690
Fichier:
PDF, 606 KB
english, 2012
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