To optimize electrical properties of the ultrathin (1.6 nm)...

IEEE Transactions on Electron Devices 2001 Vol. 48; Iss. 12

To optimize electrical properties of the ultrathin (1.6 nm) nitride/oxide gate stacks with bottom oxide materials and post-deposition treatment

Chein-Hao Chen, Yean-Kuen Fang, Chih-Wei Yang, Shyh-Fann Ting, Yong-Shiuan Tsair, Ming-Fang Wang, Tuo-Hong Hou, Mo-Chiun Yu, Shih-Chang Chen, Jang, S.M., Yu, D.C.H., Mong-Song Liang
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Volume:
48
Année:
2001
Langue:
english
Pages:
8
DOI:
10.1109/16.974702
Fichier:
PDF, 192 KB
english, 2001
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