Novel low-temperature C-V technique for MOS doping profile...

IEEE Transactions on Electron Devices 2001 Vol. 48; Iss. 4

Novel low-temperature C-V technique for MOS doping profile determination near the Si/SiO2 interface

Pirovano, A., Lacaita, A.L., Pacelli, A., Benvenuti, A.
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Volume:
48
Année:
2001
Langue:
english
Pages:
8
DOI:
10.1109/16.915719
Fichier:
PDF, 173 KB
english, 2001
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