Titanium silicide interconnect technology for submicrometer...

IEEE Transactions on Electron Devices 1988 Vol. 35; Iss. 12

Titanium silicide interconnect technology for submicrometer DRAMs

Fukumoto, M., Yoshida, T., Tateiwa, K., Ohzone, T.
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Volume:
35
Année:
1988
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1109/16.8809
Fichier:
PDF, 551 KB
english, 1988
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