A comprehensive study of hot-carrier induced interface and...

IEEE Transactions on Electron Devices 2000 Vol. 47; Iss. 1

A comprehensive study of hot-carrier induced interface and oxide trap distributions in MOSFETs using a novel charge pumping technique

Mahapatra, S., Parikh, C.D., Ramgopal Rao, V., Viswanathan, C.R., Vasi, J.
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Volume:
47
Année:
2000
Langue:
english
Pages:
7
DOI:
10.1109/16.817583
Fichier:
PDF, 228 KB
english, 2000
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