An analytical model for the electron velocity overshoot...

IEEE Transactions on Electron Devices 1998 Vol. 45; Iss. 4

An analytical model for the electron velocity overshoot effects in strained-Si on SixGe1-x MOSFETs

Roldan, J.B., Gamiz, F., Lopez-Villanueva, J.A., Carceller, J.E.
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
45
Année:
1998
Langue:
english
Pages:
3
DOI:
10.1109/16.662819
Fichier:
PDF, 87 KB
english, 1998
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué