The effects of boron penetration on p+ polysilicon gated...

IEEE Transactions on Electron Devices 1990 Vol. 37; Iss. 8

The effects of boron penetration on p+ polysilicon gated PMOS devices

Pfiester, J.R., Baker, F.K., Mele, T.C., Tseng, H.-H., Tobin, P.J., Hayden, J.D., Miller, J.W., Gunderson, C.D., Parrillo, L.C.
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Volume:
37
Année:
1990
Langue:
english
Pages:
10
DOI:
10.1109/16.57135
Fichier:
PDF, 1.03 MB
english, 1990
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