Low energy nitrogen ion doping into GaAs using combined...

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 1996 Vol. 120; Iss. 1-4

Low energy nitrogen ion doping into GaAs using combined ion-beam and molecular-beam epitaxy method

Takayuki Shima, Yunosuke Makita, Shinji Kimura, Tsutomu Iida, Xiaohua Fang, De-sheng Jiang, Kazuhiro Kudo, Kuniaki Tanaka
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Volume:
120
Année:
1996
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/s0168-583x(96)00530-7
Fichier:
PDF, 484 KB
english, 1996
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