Probing into the effect of Auger recombination mechanism on...

Solid State Communications 2011 Vol. 151; Iss. 24

Probing into the effect of Auger recombination mechanism on zero bias resistance–area product in In1−xGaxAs detector

Yuchun Chang, Bao Shi, Longhai Li, Jingzhi Yin, Fubin Gao, Guotong Du, Yixin Jin
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Volume:
151
Année:
2011
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/j.ssc.2011.09.014
Fichier:
PDF, 345 KB
english, 2011
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