Radiation defects and electrical properties of silicon...

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 1993 Vol. 73; Iss. 4

Radiation defects and electrical properties of silicon layers containing Sb and As implanted with Si+ ions

O.J. Araika, A.R. Chelyadinskii, V.A. Dravin, Yu.R. Suprun-Belevich, V.P. Tolstikh
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Volume:
73
Année:
1993
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/0168-583x(93)95832-p
Fichier:
PDF, 506 KB
english, 1993
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