Defect production and annealing due to high-energy ion...

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 1990 Vol. 51; Iss. 3

Defect production and annealing due to high-energy ion implantation: I. Silicon

T.A. Belykh, A.L. Gorodishchensky, L.A. Kazak, V.E. Semyannikov, A.R. Urmanov
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Volume:
51
Année:
1990
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/0168-583x(90)90495-g
Fichier:
PDF, 475 KB
english, 1990
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