A New Approximate Model for Short-Channel MOS Devices

physica status solidi (a) 1998 Vol. 165; Iss. 2

A New Approximate Model for Short-Channel MOS Devices

R. Sasić, R. Ramović, V. Herrmann
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Volume:
165
Année:
1998
Langue:
english
Pages:
10
DOI:
10.1002/(sici)1521-396x(199802)165:23.0.co;2-o
Fichier:
PDF, 257 KB
english, 1998
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