MOVPE growth of GaAs on Ge substrates by inserting a thin...

Crystal Research and Technology 2006 Vol. 41; Iss. 2

MOVPE growth of GaAs on Ge substrates by inserting a thin low temperature buffer layer

S. Scholz, J. Bauer, G. Leibiger, H. Herrnberger, D. Hirsch, V. Gottschalch
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Volume:
41
Année:
2006
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1002/crat.200510541
Fichier:
PDF, 422 KB
english, 2006
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