Structural properties of relaxed Ge buffer layers on Si(0 0...

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2004 / 07 Vol. 15; Iss. 7

Structural properties of relaxed Ge buffer layers on Si(0 0 1): effect of layer thickness and low temperature Si initial buffer

T. Myrberg, A. P. Jacob, O. Nur, M. Friesel, M. Willander, C. J. Patel, Y. Campidelli, C. Hernandez, O. Kermarrec, D. Bensahel
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Volume:
15
Langue:
english
Pages:
7
DOI:
10.1023/b:jmse.0000031594.36498.27
Date:
July, 2004
Fichier:
PDF, 487 KB
english, 2004
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