Electrostatic Model of Edge Luminescence of Heavily Doped...

Journal of Applied Spectroscopy 2002 / 05 Vol. 69; Iss. 3

Electrostatic Model of Edge Luminescence of Heavily Doped Degenerate Semiconductors

N. A. Poklonskii, S. A. Vyrko
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Volume:
69
Langue:
english
Pages:
10
DOI:
10.1023/a:1019715602928
Date:
May, 2002
Fichier:
PDF, 110 KB
english, 2002
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